BTA08雙向可控硅 BTA08 8A大芯片可控硅

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-07-20 11:46:39點擊：6次

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  BTA08雙向可控硅 BTA08 8A大芯片可控硅

  
  

  
  

  8A大芯片可控硅 BTA08的引腳圖：

     

  
  

  
  

  8A大芯片可控硅 BTA08的特點：

  • NPNPN 五層結構的硅雙向器件

  • P 型對通擴散隔離

  • 臺面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 工作結溫高，換向能力強

  • 高電壓變化率 dV/dt

  • 大電流變化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝外形：TO-220A、TO-220F
    

  
  

  
  

  8A大芯片可控硅 BTA08的應用領域：

          BTA08可控硅應用于：加熱控制器、調光/調速控制器、洗衣機、攪拌機、果汁機、面包機、吸塵器等家用電器。

  
  

  
  

  8A大芯片可控硅 BTA08的極限參數(shù)(T_CASE=25℃)：

  • 斷態(tài)重復峰值電壓 V_DRM/V_RRM：600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS)：8A

  • 通態(tài)不重復浪涌電流 I_TSM：80A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt：50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM：4A

  • 門極平均功率 P_G(AV)：1W

  • 存儲溫度 T_STG：-40~+150℃

  • 工作結溫 T_j：-40~+125℃
    

  
  

  
  

  8A大芯片可控硅 BTA08的電特性：

  符號	參數(shù)	數(shù)值			單位
  		TW	SW	CW
  IGT	門極觸發(fā)電流	≤5	≤10	≤35	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	≤1.3			V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	≥0.2
  IH	維持電流	≤10	≤15	≤35	mA
  IL	擎住電流 I-III	≤10	≤25	≤50
  	擎住電流 II	≤15	≤20	≤60
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	≥20	≥40	≥400	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	≤1.55			V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5			μA
  	斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤1			mA

  
  

  
  

  8A大芯片可控硅 BTA08的封裝外形尺寸：

  1、TO-220A：

  

  
  

  
  

  2、TO-220F：

  

  
  

  
  

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